Numéro de produit du fabricant:
TSM2537CQ RFG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM2537CQ RFG-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Inventaire:
29449 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12899125
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM2537CQ RFG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.6A (Tc), 9A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Puissance - Max
6.25W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-VDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TDFN (2x2)
Numéro de produit de base
TSM2537
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TSM2537CQ RFGCT
TSM2537CQRFGCT
TSM2537CQ RFGDKR
TSM2537CQ RFGTR
TSM2537CQ RFGDKR-DG
TSM2537CQ RFGCT-DG
TSM2537CQRFGDKR
TSM2537CQ RFGTR-DG
TSM2537CQRFGTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
DMC3021LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
DMHC3025LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
